NTGS5120PT1G
Symbol Micros:
TNTGS5120p
Obudowa: TSOP06
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 111mOhm; 1,8A; 600mW; -55°C~150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 111mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 600mW |
| Obudowa: | TSOP06 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTGS5120PT1G
Obudowa dokładna: TSOP06
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4809 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTGS5120PT1G
Obudowa dokładna: TSOP06
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6018 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTGS5120PT1G
Obudowa dokładna: TSOP06
Magazyn zewnetrzny:
66000 szt.
| ilość szt. | 820+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6018 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 111mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 600mW |
| Obudowa: | TSOP06 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |