NTJD4401NT1G
Symbol Micros:
TNTJD4401
Obudowa: SOT363 t/r
Tranzystor 2xN-MOSFET; 20V; 12V; 445mOhm; 910mA; 550mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 445mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 910mA |
| Maksymalna tracona moc: | 550mW |
| Obudowa: | SOT363 t/r |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTJD4401 RoHS
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2400 | 0,6760 | 0,4430 | 0,3830 | 0,3530 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTJD4401NT1G
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3530 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTJD4401NT1G
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
Magazyn zewnętrzny:
9000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3530 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 445mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 910mA |
| Maksymalna tracona moc: | 550mW |
| Obudowa: | SOT363 t/r |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |