NTJD5121NT1G
Symbol Micros:
TNTJD5121n
Obudowa: SOT363
Tranzystor 2xN-MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 295mA; 250mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 295mA |
| Maksymalna tracona moc: | 250mW |
| Obudowa: | SOT363 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTJD5121NT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8460 | 0,4240 | 0,2520 | 0,2090 | 0,1880 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTJD5121NT1G
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnętrzny:
39000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1880 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTJD5121NT1G
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnętrzny:
30000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1880 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 295mA |
| Maksymalna tracona moc: | 250mW |
| Obudowa: | SOT363 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |