NTJD5121NT1G
Symbol Micros:
TNTJD5121n
Obudowa: SOT363
Tranzystor 2xN-MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 295mA; 250mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 2,5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 295mA |
Maksymalna tracona moc: | 250mW |
Obudowa: | SOT363 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 2,5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 295mA |
Maksymalna tracona moc: | 250mW |
Obudowa: | SOT363 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |