NTLJD4116NT1G
Symbol Micros:
TNTLJD4116n
Obudowa: WDFN6 =ODFN6(2.1x2)
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 15V; 70mOhm; 2,5A; 710mW; -55°C~150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 70mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 710mW |
| Obudowa: | WDFN6 (2x2) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 4,5V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTLJD4116NT1G
Obudowa dokładna: WDFN6 =ODFN6(2.1x2)
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1584 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 70mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 710mW |
| Obudowa: | WDFN6 (2x2) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 4,5V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 15V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |