NTMD6P02R2G
Symbol Micros:
TNTMD6p02
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6,2A; 1,28W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 50mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,28W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | 2xP-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTMD6P02R2G RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,3800 | 2,1400 | 1,6900 | 1,5400 | 1,4700 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTMD6P02R2G
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnętrzny:
7500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,0265 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTMD6P02R2G
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnętrzny:
10000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1385 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 50mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,28W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | 2xP-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |