NTR0202PLT1G

Symbol Micros: TNTR0202pl
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 20V; 1,1Ohm; 400mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR0202PLT3G;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,1Ohm
Maksymalny prąd drenu: 400mA
Maksymalna tracona moc: 225mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NTR0202PLT1G RoHS PL. Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 4000+
cena netto (PLN) 0,9860 0,4290 0,2680 0,2300 0,2190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NTR0202PLT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
9000 szt.
ilość szt. 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 0,2739
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 1,1Ohm
Maksymalny prąd drenu: 400mA
Maksymalna tracona moc: 225mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD