NTR0202PLT1G
Symbol Micros:
TNTR0202pl
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 20V; 1,1Ohm; 400mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR0202PLT3G;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,1Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 400mA |
| Maksymalna tracona moc: | 225mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTR0202PLT1G RoHS PL.
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 4000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9860 | 0,4290 | 0,2680 | 0,2300 | 0,2190 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTR0202PLT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
9000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2696 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,1Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 400mA |
| Maksymalna tracona moc: | 225mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |