NTR0202PLT1G
Symbol Micros:
TNTR0202pl
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 20V; 1,1Ohm; 400mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR0202PLT3G;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 1,1Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 400mA |
Maksymalna tracona moc: | 225mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTR0202PLT1G RoHS PL.
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 4000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,9860 | 0,4290 | 0,2680 | 0,2300 | 0,2190 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTR0202PLT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
9000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2739 |
Rezystancja otwartego kanału: | 1,1Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 400mA |
Maksymalna tracona moc: | 225mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |