NTR4003NT1G

Symbol Micros: TNTR4003n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 2Ohm; 500mA; 690mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR4003NT3G;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 500mA
Maksymalna tracona moc: 690mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NTR4003NT1G RoHS TR8 Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
95 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,9130 0,3650 0,2120 0,1770 0,1660
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NTR4003NT1G RoHS TR8 Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1400 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9300 0,4420 0,2480 0,1890 0,1690
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NTR4003NT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
282000 szt.
ilość szt. 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 0,1690
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NTR4003NT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
3820 szt.
ilość szt. 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 0,1690
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 500mA
Maksymalna tracona moc: 690mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD