NTR4101PT1G
Symbol Micros:
TNTR4101p
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 2,4A; 730mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 210mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 730mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTR4101PT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
| ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 300+ | 1500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6900 | 1,1100 | 0,7980 | 0,6830 | 0,6500 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTR4101PT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
2822 szt.
| ilość szt. | 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: NTR4101PT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
605 szt.
| ilość szt. | 5+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 210mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 730mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |