NTR4171PT1G
Symbol Micros:
TNTR4171p
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 150mOhm; 2,2A; 480mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR4171PT3G;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 150mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 2,2A |
Maksymalna tracona moc: | 480mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 150mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 2,2A |
Maksymalna tracona moc: | 480mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |