NTR4501NT1G
Symbol Micros:
TNTR4501n
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 105mOhm; 3,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR4501NT3G;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 105mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,25W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTR4501NT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
| ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1200 | 0,7180 | 0,5030 | 0,4370 | 0,4090 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTR4501NT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
21000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4090 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTR4501NT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4090 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 105mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,25W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |