NTR4502PT1G
Symbol Micros:
TNTR4502p
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 350mOhm; 1,13A; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR4502PT3G;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 350mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,13A |
| Maksymalna tracona moc: | 400mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTR4502PT1G RoHS TR2
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
| ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1700 | 0,7460 | 0,5230 | 0,4540 | 0,4250 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTR4502PT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
303000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4250 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 350mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,13A |
| Maksymalna tracona moc: | 400mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |