NTR4503NT1G

Symbol Micros: TNTR4503n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 140mOhm; 2A; 730mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR4503NT3G;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 140mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2A
Maksymalna tracona moc: 730mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NTR4503NT1G RoHS TR3 Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,2800 0,7090 0,4690 0,3910 0,3670
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NTR4503NT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
112000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3670
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NTR4503NT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3670
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 140mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2A
Maksymalna tracona moc: 730mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD