NTR4503NT1G
Symbol Micros:
TNTR4503n
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 140mOhm; 2A; 730mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR4503NT3G;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 140mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 2A |
Maksymalna tracona moc: | 730mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTR4503NT1G RoHS TR3
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,2800 | 0,7090 | 0,4690 | 0,3910 | 0,3670 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTR4503NT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
112000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,3670 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTR4503NT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,3670 |
Rezystancja otwartego kanału: | 140mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 2A |
Maksymalna tracona moc: | 730mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |