NTR5103NT1G
Symbol Micros:
TNTR5103n
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 30V; 3Ohm; 260mA; 300mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 260mA |
| Maksymalna tracona moc: | 300mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTR5103NT1G RoHS TJ4
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2261 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7650 | 0,3630 | 0,2040 | 0,1550 | 0,1390 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTR5103NT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
33000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1390 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTR5103NT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
99000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1390 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 260mA |
| Maksymalna tracona moc: | 300mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |