NTS4001NT1G
Symbol Micros:
TNTS4001n
Obudowa: SOT323
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 2Ohm; 270mA; 330mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 270mA |
| Maksymalna tracona moc: | 330mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTS4001NT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3400 | 0,7380 | 0,5800 | 0,5370 | 0,5150 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTS4001NT1G
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
645000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5150 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTS4001NT1G
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5150 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 270mA |
| Maksymalna tracona moc: | 330mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |