NTS4173PT1G
Symbol Micros:
TNTS4173pt1g
Obudowa: SOT323
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 12V; 280mOhm; 1,2A; 290mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 280mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 290mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTS4173PT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2795 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3400 | 0,7120 | 0,5520 | 0,5090 | 0,4880 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTS4173PT1G
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4880 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTS4173PT1G
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4880 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 280mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 290mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |