NTS4409NT1G
Symbol Micros:
TNTS4409nt1g
Obudowa: SOT323
Tranzystor N-MOSFET; 25V; 8V; 400mOhm; 700mA; 280mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 400mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 700mA |
| Maksymalna tracona moc: | 280mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 25V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTS4409NT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3700 | 0,7610 | 0,6010 | 0,5460 | 0,5280 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTS4409NT1G
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt.
| ilość szt. | 2942+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5280 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTS4409NT1G
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
132000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5280 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 400mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 700mA |
| Maksymalna tracona moc: | 280mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 25V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |