NVR5124PLT1G
Symbol Micros:
TNVR5124pl
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 365mOhm; 1,1A; 470mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 365mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 470mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NVR5124PLT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
| ilość szt. | 2+ | 15+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1000 | 1,1700 | 0,9200 | 0,8680 | 0,8400 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NVR5124PLT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8400 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 365mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 470mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |