NX2301P,215
Symbol Micros:
TNX2301p
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 270mOhm; 2A; 710mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NX2301P,215; NX2301P.215;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 270mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2A |
| Maksymalna tracona moc: | 710mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: NX2301P,215 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
8540 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0200 | 0,5180 | 0,3140 | 0,2490 | 0,2270 |
Producent: NXP
Symbol producenta: NX2301P RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0200 | 0,5180 | 0,3140 | 0,2490 | 0,2270 |
Producent: NXP
Symbol producenta: NX2301P,215 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0200 | 0,5180 | 0,3140 | 0,2490 | 0,2270 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: NX2301P,215
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
888000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2270 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: NX2301P,215
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2270 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: NX2301P,215
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
138000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2270 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 270mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2A |
| Maksymalna tracona moc: | 710mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |