NX3008CBKS
Symbol Micros:
TNX3008cbks
Obudowa: SOT363
Tranzystor N/P-MOSFET; 30V; 8V; 2,8Ohm/7,8Ohm; 350mA/200mA; 445mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NX3008CBKS.115;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 7,8Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 350mA |
| Maksymalna tracona moc: | 445mW |
| Obudowa: | SOT363 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N/P-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: NX3008CBKS RoHS LD..
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1800 | 0,6530 | 0,4340 | 0,3620 | 0,3370 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: NX3008CBKS,115
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnętrzny:
33000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3370 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: NX3008CBKS,115
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnętrzny:
33000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3370 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 7,8Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 350mA |
| Maksymalna tracona moc: | 445mW |
| Obudowa: | SOT363 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N/P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |