NX3020NAKW
Symbol Micros:
TNX3020nakw
Obudowa: SOT323
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 180mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NX3020NAKW,115;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 13Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 180mA |
| Maksymalna tracona moc: | 300mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: NX3020NAKW,115 RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8930 | 0,4880 | 0,3710 | 0,2890 | 0,2550 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: NX3020NAKW,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnętrzny:
24000 szt.
| ilość szt. | 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2550 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: NX3020NAKW,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnętrzny:
129000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2550 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: NX3020NAKW,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2550 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 13Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 180mA |
| Maksymalna tracona moc: | 300mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |