NX7002AK NXP
Symbol Micros:
TNX7002ak
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NX7002AK,215; NX7002AK.215;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 9,2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 190mA |
| Maksymalna tracona moc: | 325mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: NX7002AK,215 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5745 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5020 | 0,2300 | 0,1250 | 0,0937 | 0,0836 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: NX7002AK,215
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
42000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0836 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: NX7002AK,215
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
339000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0836 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 9,2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 190mA |
| Maksymalna tracona moc: | 325mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |