P1010AT
Symbol Micros:
TP1010AT NIKO
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 800mOhm; 69A; 115W; -55°C~175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 800mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 69A |
| Maksymalna tracona moc: | 115W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | NIKO SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 800mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 69A |
| Maksymalna tracona moc: | 115W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | NIKO SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |