PBSS5120T
Symbol Micros:
TPBSS5120t
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 450; 480mW; 20V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 480mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 20V |
Producent: NXP
Symbol producenta: PBSS5120T RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0600 | 0,5800 | 0,3810 | 0,3290 | 0,3030 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PBSS5120T,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3030 |
| Moc strat: | 480mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |