PBSS8110T NXP
Symbol Micros:
TPBSS8110t
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 500; 480mW; 100V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PBSS8110T,215;
Parametry
| Moc strat: | 480mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 500 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
Producent: NXP
Symbol producenta: PBSS8110T RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1678 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3100 | 0,6960 | 0,5400 | 0,4980 | 0,4770 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PBSS8110T,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
105000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4770 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PBSS8110T,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4770 |
| Moc strat: | 480mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 500 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |