PDTA114ET,215
Symbol Micros:
TPDTA114et
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 30; 250mW; 50V; 100mA; 180MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PDTA114ET,235 (10K/RL); PDTA114ET,215 (3K/RL); PDTA114ET/DG/B2; PDTA114ET/DG/B4,21;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 180MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: NXP
Symbol producenta: PDTA114ET,215 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2980 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4130 | 0,1630 | 0,0952 | 0,0696 | 0,0636 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTA114ET,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
297000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0636 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTA114ET,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0636 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTA114ET,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
378000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0636 |
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 180MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |