PDTA114YT
Symbol Micros:
TPDTA114yt
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 100; 250mW; 50V; 100mA; 180MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PDTA114YT,215;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 180MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: NXP
Symbol producenta: PDTA114YT RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1400 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2930 | 0,1130 | 0,0552 | 0,0439 | 0,0419 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTA114YT,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
81000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0494 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTA114YT,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
207000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0524 |
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 180MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |