PDTA124ET,215
Symbol Micros:
TPDTA124et
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 60; 250mW; 50V; 100mA; 180MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PDTA124ET,215; PDTA124ET;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 180MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: NXP
Symbol producenta: PDTA124ET RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2980 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4570 | 0,2090 | 0,1140 | 0,0853 | 0,0761 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTA124ET,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
252000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0761 |
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 180MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |