PDTA144ET smd
Symbol Micros:
TPDTA144et
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 80; 250mW; 50V; 100mA; 180MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PDTA144ET,235;
Parametry
Moc strat: | 250mW |
Częstotliwość graniczna: | 180MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 80 |
Producent: | NXP |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: NXP
Symbol producenta: PDTA144ET RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1200 szt.
ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,3280 | 0,1250 | 0,0710 | 0,0513 | 0,0468 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTA144ET,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
63000 szt.
ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0468 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTA144ET,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0468 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTA144ET,235
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt.
ilość szt. | 20000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0468 |
Moc strat: | 250mW |
Częstotliwość graniczna: | 180MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 80 |
Producent: | NXP |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | PNP |