PDTB113ZT NXP
Symbol Micros:
TPDTB113zt
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor PNP; 70; 250mW; 50V; 500mA; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Producent: NXP
Symbol producenta: PDTB113ZT RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
| ilość szt. | 5+ | 40+ | 250+ | 1000+ | 5000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9350 | 0,3340 | 0,2100 | 0,1810 | 0,1700 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTB113ZT,215
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1700 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTB113ZT,215
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1700 |
| Moc strat: | 250mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |