PDTC114EU,115

Symbol Micros: TPDTC114eu
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
Tranzystor NPN; 30; 200mW; 50V; 100mA; 230MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PDTC114EU,115; PDTC114EU,135; PDTC114EU.115; PDTC114EU115; PDTC114EU;
Parametry
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 230MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30
Producent: NXP
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: NXP Symbol producenta: PDTC114EU,115 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3610 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3800 0,1500 0,0875 0,0640 0,0585
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Nexperia Symbol producenta: PDTC114EU,115 Obudowa dokładna: SOT323  
Magazyn zewnętrzny:
129140 szt.
ilość szt. 60000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 0,0655
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: PDTC114EU,115 Obudowa dokładna: SOT323  
Magazyn zewnętrzny:
561000 szt.
ilość szt. 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 0,0655
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: PDTC114EU,115 Obudowa dokładna: SOT323  
Magazyn zewnętrzny:
570000 szt.
ilość szt. 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 0,0655
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 230MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30
Producent: NXP
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN