PDTC114EU,115
Symbol Micros:
TPDTC114eu
Obudowa: SOT323
Tranzystor NPN; 30; 200mW; 50V; 100mA; 230MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PDTC114EU,115; PDTC114EU,135; PDTC114EU.115; PDTC114EU115; PDTC114EU;
Parametry
Moc strat: | 200mW |
Częstotliwość graniczna: | 230MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
Producent: | NXP |
Obudowa: | SOT323 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: NXP
Symbol producenta: PDTC114EU,115 RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3610 szt.
ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,3800 | 0,1500 | 0,0875 | 0,0640 | 0,0585 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTC114EU,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnętrzny:
129140 szt.
ilość szt. | 60000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0655 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTC114EU,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnętrzny:
561000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0655 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTC114EU,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnętrzny:
570000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0655 |
Moc strat: | 200mW |
Częstotliwość graniczna: | 230MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
Producent: | NXP |
Obudowa: | SOT323 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |