PDTC114TU,115 NXP
Symbol Micros:
TPDTC114tu
Obudowa: SOT323
Tranzystor NPN; 200; 200mW; 50V; 100mA; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 200 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT323 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Producent: NXP
Symbol producenta: PDTC114TU RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2270 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3380 | 0,1330 | 0,0778 | 0,0569 | 0,0520 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTC114TU,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0524 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTC114TU,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
213000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0543 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTC114TU,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0568 |
| Moc strat: | 200mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 200 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT323 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |