PDTC115ET,215
Symbol Micros:
TPDTC115et
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 80; 250mW; 50V; 20mA; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 80 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 20mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Producent: NXP
Symbol producenta: PDTC115ET,215 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3400 | 0,1310 | 0,0638 | 0,0508 | 0,0485 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTC115ET,215
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0485 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTC115ET,215
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0485 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTC115ET,215
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
132000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0494 |
| Moc strat: | 250mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 80 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 20mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |