PDTC123JT,215
Symbol Micros:
TPDTC123jt
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 100; 250mW; 50V; 100mA; 230MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PDTC123JT,215; PDTC123JT,235; PDTC123JT.215;
Parametry
Moc strat: | 250mW |
Częstotliwość graniczna: | 230MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
Producent: | NXP |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: NXP
Symbol producenta: PDTC123JT RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
9000 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,4610 | 0,2120 | 0,1150 | 0,0861 | 0,0769 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTC123JT,235
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
70000 szt.
ilość szt. | 20000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0769 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTC123JT,235
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
180000 szt.
ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0769 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTC123JT,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
387000 szt.
ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0769 |
Moc strat: | 250mW |
Częstotliwość graniczna: | 230MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
Producent: | NXP |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |