PDTC123JU,115 NXP

Symbol Micros: TPDTC123ju
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
Tranzystor NPN; 100; 200mW; 50V; 100mA; 230MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 230MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Producent: NXP
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: NXP Symbol producenta: PDTC123JU,115 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3870 0,1520 0,0890 0,0651 0,0595
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 230MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Producent: NXP
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN