PDTC143ZU,115 NXP

Symbol Micros: TPDTC143zu
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323 t/r
Tranzystor NPN; 100; 200mW; 50V; 100mA; 230MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 230MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Producent: NXP
Obudowa: SOT323 t/r
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: NXP Symbol producenta: PDTC143ZU RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3780 0,1490 0,0869 0,0636 0,0581
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Nexperia Symbol producenta: PDTC143ZU,115 Obudowa dokładna: SOT323 t/r  
Magazyn zewnetrzny:
435000 szt.
ilość szt. 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0581
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: PDTC143ZU,115 Obudowa dokładna: SOT323 t/r  
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
ilość szt. 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0581
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 230MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Producent: NXP
Obudowa: SOT323 t/r
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN