PDTD113ZT,215
Symbol Micros:
TPDTD113zt
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 70; 250mW; 50V; 500mA; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Producent: NXP
Symbol producenta: PDTD113ZT RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1510 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2510+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5400 | 0,2470 | 0,1340 | 0,1000 | 0,0900 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTD113ZT,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0968 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTD113ZT,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
120000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0969 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTD113ZT,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0988 |
| Moc strat: | 250mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |