PEMH10

Symbol Micros: TPEMH10
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT666
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor 2xNPN; 100; 300mW; 50V; 100mA; 230MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PEMH10,115;
Parametry
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 230MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Producent: NXP
Obudowa: SOT666
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: NXP Symbol producenta: PEMH10,115 RoHS Obudowa dokładna: SOT666 karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,8090 0,3230 0,1880 0,1570 0,1470
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 230MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Producent: NXP
Obudowa: SOT666
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: 2xNPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta