PEMH10
Symbol Micros:
TPEMH10
Obudowa: SOT666
Tranzystor 2xNPN; 100; 300mW; 50V; 100mA; 230MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PEMH10,115;
Parametry
Moc strat: | 300mW |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
Producent: | NXP |
Częstotliwość graniczna: | 230MHz |
Obudowa: | SOT666 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Moc strat: | 300mW |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
Producent: | NXP |
Częstotliwość graniczna: | 230MHz |
Obudowa: | SOT666 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | 2xNPN |