PMGD280UN NEXPERIA
Symbol Micros:
TPMGD280un
Obudowa: SOT363
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 0,55A; 400mW; SOT363; PMGD280UN,115; PMGD280UN.115;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 340mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 550mA |
| Maksymalna tracona moc: | 400mW |
| Obudowa: | SOT363 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 20V |
Producent: NXP
Symbol producenta: PMGD280UN,115 RoHS
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8900 | 1,0400 | 0,8200 | 0,7590 | 0,7280 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMGD280UN,115
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7280 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMGD280UN,115
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7280 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 340mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 550mA |
| Maksymalna tracona moc: | 400mW |
| Obudowa: | SOT363 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 20V |
| Typ tranzystora: | MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |