PMH600UNEH
Symbol Micros:
TPMH600UNEH
Obudowa: SOT883
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 620mOhm; 800mA; 2,2W; -55°C~150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 620mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 800mA |
| Maksymalna tracona moc: | 2,2W |
| Obudowa: | DFN03 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMH600UNEH
Obudowa dokładna: SOT883
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
| ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1223 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMH600UNEH
Obudowa dokładna: SOT883
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
| ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1221 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 620mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 800mA |
| Maksymalna tracona moc: | 2,2W |
| Obudowa: | DFN03 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |