PMPB95ENEAX
Symbol Micros:
TPMPB95eneax
Obudowa: UDFN6
Trans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive 6-Pin DFN-MD EP
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 105mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,6W |
| Obudowa: | UDFN6 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMPB95ENEAX
Obudowa dokładna: UDFN6
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5475 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMPB95ENEAX
Obudowa dokładna: UDFN6
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5592 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMPB95ENEAX
Obudowa dokładna: UDFN6
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6018 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 105mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,6W |
| Obudowa: | UDFN6 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |