PMV160UP
Symbol Micros:
TPMV160u
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 380mOhm; 1,2A; 480mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMV160UP.215;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 380mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 1,2A |
Maksymalna tracona moc: | 480mW |
Obudowa: | SOT23-3 |
Producent: | NXP |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: PMV160UP,215 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
95 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 95+ | 380+ | 1615+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,0500 | 0,5760 | 0,3840 | 0,3230 | 0,2990 |
Producent: NXP
Symbol producenta: PMV160UP,215 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,0500 | 0,5730 | 0,3760 | 0,3240 | 0,2990 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMV160UP,215
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
42000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2990 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMV160UP,215
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
51000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2990 |
Rezystancja otwartego kanału: | 380mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 1,2A |
Maksymalna tracona moc: | 480mW |
Obudowa: | SOT23-3 |
Producent: | NXP |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |