PMV20ENR
Symbol Micros:
TPMV20e
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 34mOhm; 6A; 1,2W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 34mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,2W |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: PMV20EN RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1800 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1200 | 0,5950 | 0,4620 | 0,4260 | 0,4080 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMV20ENR
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4080 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMV20ENR
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
69000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4080 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMV20ENR
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
81000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4080 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 34mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,2W |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |