PMV213SN
Symbol Micros:
TPMV213sn
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 30V; 575mOhm; 1,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMV213SN,215;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 575mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 100V |
Producent: NXP
Symbol producenta: PMV213SN,215 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1585 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8200 | 1,0000 | 0,7870 | 0,7290 | 0,6990 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMV213SN,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6990 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMV213SN,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6990 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 575mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |