PMV30UN2R
Symbol Micros:
TPMV30u
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 160mOhm; 4,2A; 1W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 160mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1W |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: PMV30UN2R RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2690 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9070 | 0,5020 | 0,3330 | 0,2780 | 0,2590 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMV30UN2R
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2590 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMV30UN2R
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2590 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 160mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1W |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |