PMV40UN2R
Symbol Micros:
TPMV40u
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 12V; 78mOhm; 3,7A; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMV40UN; PMV40UN,215; PMV40UN2R; PMV40UN215;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 78mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 3,7A |
Maksymalna tracona moc: | 1W |
Obudowa: | SOT23-3 |
Producent: | NXP |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: PMV40UN2R RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2100 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,2300 | 0,6780 | 0,4500 | 0,3760 | 0,3500 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMV40UN2R
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
1077000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,3500 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMV40UN2R
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,3500 |
Rezystancja otwartego kanału: | 78mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 3,7A |
Maksymalna tracona moc: | 1W |
Obudowa: | SOT23-3 |
Producent: | NXP |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |