PMV40UN2R

Symbol Micros: TPMV40u
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 12V; 78mOhm; 3,7A; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMV40UN; PMV40UN,215; PMV40UN2R; PMV40UN215;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 78mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,7A
Maksymalna tracona moc: 1W
Obudowa: SOT23-3
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: NXP Symbol producenta: PMV40UN2R RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2100 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,2300 0,6780 0,4500 0,3760 0,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Nexperia Symbol producenta: PMV40UN2R Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
1077000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: PMV40UN2R Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 78mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,7A
Maksymalna tracona moc: 1W
Obudowa: SOT23-3
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD