PMV45EN2R
Symbol Micros:
TPMV45e
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 66mOhm; 4,1A; 1,115W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 66mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,115W |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: PMV45EN2R RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2700 | 0,6950 | 0,4560 | 0,3940 | 0,3630 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMV45EN2R
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
327000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3630 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMV45EN2R
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
543000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3630 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMV45EN2R
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
75000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3630 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 66mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,115W |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |