PMV48XP,215
Symbol Micros:
TPMV48x
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 81mOhm; 3,5A; 930mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 81mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 930mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMV48XP,215
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
195000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3700 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMV48XP,215
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3946 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMV48XP,215
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
69000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4582 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 81mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 930mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |