PMV65XP
Symbol Micros:
TPMV65x
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 2,8A; 833mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMV65XPEAR; PMV65XP,215; PMV65XP.215;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 135mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 2,8A |
Maksymalna tracona moc: | 833mW |
Obudowa: | SOT23-3 |
Producent: | NXP |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: PMV65XP,215 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2900 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,9100 | 0,5040 | 0,3340 | 0,2790 | 0,2600 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMV65XP,215
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
99000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2600 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMV65XP,215
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2600 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMV65XP,215
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
69000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2600 |
Rezystancja otwartego kanału: | 135mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 2,8A |
Maksymalna tracona moc: | 833mW |
Obudowa: | SOT23-3 |
Producent: | NXP |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |