PMXB40UNEZ
Symbol Micros:
TPMXB40u
Obudowa: SOT883
Tranzystor N-MOSFET; 12V; 8V; 121mOhm; 3,2A; 1,07W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 121mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,07W |
| Obudowa: | SOT883 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 12V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: PMXB40UNEZ RoHS
Obudowa dokładna: SOT883
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
| ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2000 | 0,7690 | 0,5390 | 0,4680 | 0,4380 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMXB40UNEZ
Obudowa dokładna: SOT883
Magazyn zewnetrzny:
35000 szt.
| ilość szt. | 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4380 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMXB40UNEZ
Obudowa dokładna: SOT883
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
| ilość szt. | 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4380 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 121mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,07W |
| Obudowa: | SOT883 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 12V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |