PSMN012-60YS Nexperia

Symbol Micros: TPSMN012-60ys
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: LFPAK
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 25,5mOhm; 59A; 89W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: PSMN012-60YS,115;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 25,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 59A
Maksymalna tracona moc: 89W
Obudowa: LFPAK
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Producent: Nexperia Symbol producenta: PSMN012-60YS,115 Obudowa dokładna: LFPAK  
Magazyn zewnetrzny:
13500 szt.
ilość szt. 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5008
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: PSMN012-60YS,115 Obudowa dokładna: LFPAK  
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt.
ilość szt. 295+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6771
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 25,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 59A
Maksymalna tracona moc: 89W
Obudowa: LFPAK
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD